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2SK2989(TPE6,F)

更新时间: 2024-02-18 09:47:28
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
6页 236K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,50V V(BR)DSS,5A I(D),TO-92VAR

2SK2989(TPE6,F) 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):5 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.9 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
Base Number Matches:1

2SK2989(TPE6,F) 数据手册

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2SK2989  
SAFE OPERATING AREA  
100  
10  
ID max (pulse)*  
100 μs *  
IDmax (continuous)  
1 ms *  
DC OPEATION  
Ta =25°C  
1
Single pulse  
0.1  
Ta=25℃  
Curves must be derated linearly  
V
max  
DSS  
with increase in temperature.  
0.01  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
Drain-source voltage  
V
DS  
(V)  
5
2009-09-29  

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