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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.21 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.185 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.8 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ581-AZ | RENESAS | 12A, 60V, 0.185ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MP-10, ISOLATED TO-220, 3 PIN |
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| 2SJ583 | SANYO | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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| 2SJ583LS | SANYO | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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| 2SJ584LS | SANYO | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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| 2SJ585LS | SANYO | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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| 2SJ586 | HITACHI | Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching |
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