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2SJ574

更新时间： 2024-01-10 16:08:56

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	58K
描述
Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

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2SJ574 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	MPAK
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.3 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度：	150 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

2SJ574 数据手册

2SJ574

Main Characteristics

Power vs. Temperature Derating

Maximum Safe Operation Area

-5

800

600

400

200

10 µs

100 µs

1 ms

-2

-1.0

-0.5

-0.2

-0.1

-0.05

-0.02

Operation in this area

is limited by RDS(on)

-0.01

-0.005

-0.002

-0.001

Ta=25 °C

-0.0005

-10

-1.0 -2

-5

-20 -50

(V)

-0.2 -0.5

Ambient Temperature Ta ( °C)

*Value on the alumina ceramic board.(12.5x20x0.7mm)

100

150

200

-0.1

-0.05

Drain to Source Voltage

Value on the alumina ceramic board.(12.5x20x0.7mm)

Typical Output Characteristics

-6 V

Typical Transfer Characteristics

-1.0

-7 V

-1.0

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

Pulse Test

-5 V

25 °C

-0.8

75 °C

Tc = –25 °C

-0.6

-4 V

-0.4

-0.2

= -10 V

= -3V

Pulse Test

-2

-4

-6

-8 -10

-2

-4-

-6

-8

-10

Gate to Source Voltage

V (V)

Drain to Source Voltage

(V)

1 2 3 456 7 8...10

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