2SJ550(L)

更新时间： 2024-02-22 18:44:15

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日立 - HITACHI		开关电源开关
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9页	59K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.155ohm, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3

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2SJ550(L) 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	LDPAK(S)-(1)	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.34	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15 A
最大漏极电流 (ID)：	15 A	最大漏源导通电阻：	0.155 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ550(L) 数据手册

2SJ550(L),2SJ550(S)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_DSS

Ratings

–60

Unit

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

V_GSS

I_D

±20

–15

Note1

Drain peak current

I_D(pulse)

–60

Body-drain diode reverse drain current I_DR

–15

Note3

Avalanche current

Avalanche energy

Channel dissipation

Channel temperature

Storage temperature

I_AP

–15

E_AR

°C

Pch^Note2

Tch

150

Tstg

–55 to +150

Note: 1. PW ≤ 10µs, duty cycle ≤ 1 %

2. Value at Tc = 25°C

3. Value at Tch = 25°C, Rg ≥ 50 Ω

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol Min

Typ

—

Max

—

Unit

Test Conditions

I_D= –10mA, V_GS= 0

I_G= ±100µA, V_DS= 0

V_DS= –60 V, V_GS= 0

V_GS= ±16V, V_DS= 0

I_D= –1mA, V_DS= –10V

I_D= –8A, V_GS= –10V^Note4

I_D= –8A, V_GS= –4V^Note4

I_D= –8A, V_DS= –10V^Note4

V_DS= –10V

Drain to source breakdown voltage V_(BR)DSS–60

Gate to source breakdown voltage V_(BR)GSS±20

—

Zero gate voltege drain current

Gate to source leak current

Gate to source cutoff voltage

Static drain to source on state

resistance

I_DSS

—

–1.0

—

6.5

—

–10

±10

–2.0

µA

I_GSS

—

V_GS(off)

R_DS(on)

|y_fs|

—

0.075 0.095

0.105 0.155

Ω

Forward transfer admittance

Input capacitance

—

Ciss

Coss

Crss

t_d(on)

t_r

850

420

110

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

V_GS= 0

f = 1MHz

V_GS= –10V, I_D= –8A

R_L= 3.75Ω

Rise time

Turn-off delay time

t_d(off)

t_f

125

Fall time

Body–drain diode forward voltage V_DF

–1.1

I_F= –15A, V_GS= 0

Body–drain diode reverse

recovery time

t_rr

I_F= –15A, V_GS= 0

diF/ dt =50A/µs

Note: 4. Pulse test

123 4 5 6 7...9

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