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2SJ530(L)|2SJ530(S)

更新时间： 2022-01-19 12:39:00

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2SJ530(L),2SJ530(S)

Maximum Avalanche Energy vs.

Channel Temperature Derating

Reverse Drain Current vs.

Source to Drain Voltage

–20

–16

–12

–8

Pulse Test

= –15 A

= –25 V

duty < 0.1 %

Rg > 50

–10 V

= 0, 5 V

–5 V

–4

–0.4 –0.8 –1.2

–1.6

–2.0

(V)

100

125

150

Source to Drain Voltage

Channel Temperature Tch (°C)

Avalanche Test Circuit

Avalanche Waveform

DSS

– V

• L • I

•

DSS

Monitor

(BR)DSS

D. U. T

Vin

–15 V

50W

1...3 4 567 8 9...11

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与2SJ530(L)|2SJ530(S)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ530(S)	RENESAS	0.16ohm, POWER, FET, DPAK-3	获取价格
2SJ530(S)-(1)	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,15A I(D),TO-252VAR	获取价格
2SJ530(S)-(2)	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,15A I(D),TO-252VAR	获取价格
2SJ530(S)-(3)	RENESAS	Transistor	获取价格
2SJ530L	HITACHI	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
2SJ530L	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格