2SJ399ZF-TR

更新时间： 2024-01-17 07:16:33

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瑞萨 - RENESAS		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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6页	99K
描述
0.2 A, 30 V, 7.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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2SJ399ZF-TR 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.29	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	0.2 A	最大漏源导通电阻：	7.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ399ZF-TR 数据手册

2SJ399

Static Drain to Source on State Resistance

vs. Temperature

Forward Transfer Admittance vs.

Drain Current

0.5

= –0.2 A

–0.05 A

Ta = –25 °C

–0.1 A

0.2

0.1

= –4 V

75 °C

25 °C

= –0.2 A

0.05

–0.1 A

–0.05 A

= –10 V

0.02

0.01

= –10 V

Pulse Test

–40

120

160

–0.01 –0.02 –0.05 –0.1 –0.2

Drain Current I

–0.5 –1

Case Temperature Tc (°C)

(A)

Typical Capacitance vs.

Drain to Source Voltage

Switching Characteristics

100

10000

5000

d(off)

Coss

Ciss

2000

1000

500

d(on)

0.5

= –10 V

PW = 5 µs

200

100

= 0

0.2

0.1

Crss

–20

f = 1 MHz

–10

–30

–40 –50

–0.1 –0.2

–0.5

–1

–2

–5

Drain Current

(A)

Drain to Source Voltage V

(V)

Reverse Drain Current vs.

Source to Drain Voltage

–0.5

–0.4

–0.3

–0.2

–0.1

Pulse Test

–10 V

= 0

–5 V

–0.4 –0.8 –1.2

–1.6

–2.0

(V)

Source to Drain Voltage

Rev.2.00, Apr.05.2004, page 4 of 5

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