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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SC-67 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 雪崩能效等级（Eas）： | 195 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ407(Q) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,200V V(BR)DSS,5A I(D),TO-220AB |
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| 2SJ407_07 | TOSHIBA |
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Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications |
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| 2SJ407_09 | TOSHIBA |
获取价格 |
Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications |
|
| 2SJ408(L) | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | SOT-199VAR |
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| 2SJ408(S) | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | D3PAK |
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| 2SJ408L | RENESAS |
获取价格 |
50A, 60V, 0.028ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HDPAK-3 |
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| 2SJ408S | RENESAS |
获取价格 |
50A, 60V, 0.028ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HDPAK-3 |
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| 2SJ409 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon P-Channel MOS FET |
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| 2SJ409(L) | RENESAS |
获取价格 |
20A, 100V, 0.22ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 |
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| 2SJ409(S)TL | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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