2SJ246(S)TL

更新时间： 2024-01-05 09:18:34

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日立 - HITACHI		/
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7页	42K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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2SJ246(S)TL 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

2SJ246(S)TL 数据手册

2SJ246 L , 2SJ246 S

Maximum Safe Operation Area

Power vs. Temperature Derating

–50

–30

10µs

100µs

–10

–3

–1

Operation in this area is

limited by R

DS(on)

–0.3

–0.1

Ta = 25°C

100

150

200

–0.3

–1

–3

–10

–30 –50

(V)

Case Temperature Tc (°C)

Drain to Source Voltage

Typical Output Characteristics

Typical Transfer Characteristics

Tc = –25°C

–10

–8

–6

–4

–2

–10

–8

–6

–4

–2

–5 V

–4 V

–6 V

Pulse test

25°C

75°C

–10V

Pulse test

= –10 V

–3.5 V

–3 V

= –2.5 V

–6

–2

–4

–8

–10

–1

–2

–3

–4

–5

Drain to Source Voltage

(V)

Gate to Source Voltage

(V)

1 234 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ246(S)TR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
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