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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ232_1 | SANYO | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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| 2SJ232AZ | ONSEMI | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 100V, 0.95ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| 2SJ233 | SANYO | Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SJ233AY | ONSEMI | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| 2SJ233-AZ | ONSEMI | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| 2SJ234(L) | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-251VAR |
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