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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.38 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ237 | RENESAS | 15A, 60V, 0.11ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SJ237 | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SJ238 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-243 |
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| 2SJ238TE12L | TOSHIBA | TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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| 2SJ238TE12R | TOSHIBA | TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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| 2SJ239 | TOSHIBA | TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.4 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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