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2SD560-AZ

更新时间： 2024-02-17 18:40:00

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罗彻斯特 - ROCHESTER		/
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7页	771K
描述
5A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, MP-25, 3 PIN

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2SD560-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.56
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	500	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON

2SD560-AZ 数据手册

2SD560

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25°C)

Parameter

Collector cutoff current

DC current gain

Symbol

I^CBO

Conditions

V^CB= 100 V, I^E= 0 A

V^CE= 2.0 V, I^C= 3.0 A^Note

V^CE= 2.0 V, I^C= 5.0 A^Note

I^C= 3.0 A, I^B= 3.0 mA^Note

MIN.

TYP.

MAX.

1.0

Unit

µA

h^FE1

h^FE2

V^CE(sat)

V^BE(sat)

t^on

2,000

500

6,000

15,000

Collector saturation voltage

Base saturation voltage

Turn-on time

0.9

1.6

1.0

3.5

1.2

1.5

2.0

I^C= 3.0 A, R^L= 16.7 Ω,

I^B1= −I^B2= 3.0 mA, V^CC≅ 50 V

Refer to the test circuit.

µs

Storage time

t^stg

Fall time

t^f

Note Pulse test PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2%

h^FECLASSIFICATION

Marking

h^FE1

2,000 to 5,000

3,000 to 7,000

5,000 to 15,000

SWITCHING TIME (t^on, t^stg, t^f) TEST CIRCUIT

Base current

waveform

Collector current

waveform

Data Sheet D14863EJ3V0DS

1 234 5 6 7

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与2SD560-AZ相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SD560KB	NEC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-220AB	获取价格
2SD560-KB	NEC	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast	获取价格
2SD560KB-AZ	RENESAS	TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,100V V(BR)CEO,5A I(C),TO-220AB	获取价格
2SD560KB-S3-AZ	RENESAS	TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,100V V(BR)CEO,5A I(C),TO-220AB	获取价格
2SD560LB	NEC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-220AB	获取价格
2SD560-LB	NEC	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast	获取价格