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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.89 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 12 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD525R | ETC |
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BJT |
|
| 2SD525Y | ETC |
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BJT |
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| 2SD526 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(4A,80V,30W) |
|
| 2SD526 | TOSHIBA |
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NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
| 2SD526 | Wing Shing |
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) |
|
| 2SD526 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SD526 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SD526 | SWST |
获取价格 |
功率三极管 |
|
| 2SD526O | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB |
|
| 2SD526-O | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, SC-46, 3 PIN, BIP General Purpo |
|
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