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2SD468B(TO-92NL)

更新时间： 2024-09-22 14:46:23

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Transistor

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2SD468B(TO-92NL) 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	85	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.9 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

2SD468B(TO-92NL) 数据手册

UTC2SD468

NPNEPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

LOW FREQUENCY POWER

AMPLIFIER

FEATURES

*Low frequency power amplifier

*Complement to 2SB562

TO-92NL

1:EMITTER 2:COLLECTOR 3:BASE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ^{(Ta=25°C, unless otherwise specified)}

PARAMETER

Collector-Base Voltage

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

VALUE

UNIT

1.5

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Collector Peak Current

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Ic(peak)

0.9

150

°C

TSTG

-55 ~ +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)

PARAMETER

Collector to base breakdown voltage

Collector to emitter breakdown

voltage

SYMBOL

V(BR)CBO

V(BR)CEO

TEST CONDITIONS

Ic=10µA, IE=0

MIN TYP MAX UNIT

Ic=1mA, RBE=∞

Emitter to base breakdown voltage

Collector Cut-Off Current

DC Current transfer ratio

Collector to emitter saturation

voltage

Base to emitter voltage

Gain bandwidth product

Collector output capacitance

Note: Pulse test

V(BR)EBO

ICBO

hFE

IE=10µA, IC=0

VCB=20V, IE=0

VCE=2V, Ic=0.5A (note)

Ic=0.8A, IB=0.08A (note)

µA

240

0.5

VCE(sat)

0.2

VBE

Cob

VCE=2V, Ic=0.5A (note)

VCB=10V, IE=0, f=1MHz

0.79

190

MHz

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD

QW-R211-003,A

12 3

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2SD468-B-T9N-B	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO
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