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2SD468-BP

更新时间： 2024-02-15 22:51:21
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 241K
描述
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2SD468-BP 数据手册

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M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
2SD468  
Micro Commercial Components  
Features  
ꢀꢁ Low Frequency Power Amplifier.  
ꢀꢁ Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
NPN Epitaxial  
Silicon Transistor  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
x
x
Complementary pair with 2SB562  
TO-92L  
Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Rating  
20  
25  
5.0  
1.0  
Unit  
V
V
V
A
PC  
TJ  
TSTG  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
0.9  
-55 to +150  
-55 to +150  
W
OC  
OC  
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
B
C
E
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=10ČAdc, IE=0)  
20  
25  
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=1mAdc, IB=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=0.01mAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=20Vdc,IE=0)  
Vdc  
---  
Vdc  
1000  
1000  
nAdc  
nAdc  
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=4.0Vdc, IC=0)  
---  
ON CHARACTERISTICS  
DIMENSIONS  
hFE  
VBE(on)  
VCE(sat)  
fT  
DC Current gain  
(IC=500mAdc, VCE=2.0Vdc)  
Base-Emitter On Voltage  
(VCE=2.0Vdc, IC=500mAdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=0.8Adc, IB=80mAdc)  
Current Gain Bandwidth Product  
(VCE=2.0Vdc, IC=500mAdc)  
Output Capacitance  
85  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
240  
1.0  
0.5  
---  
---  
INCHES  
MAX  
.161  
MM  
DIM  
A
MIN  
.146  
.157  
---  
.014  
.050  
.185  
.307  
.543  
.024  
MIN  
MAX  
NOTE  
Vdc  
Vdc  
MHz  
pF  
3.700  
4.000  
4.10  
---  
B
---  
---  
C
D
E
0.063  
.018  
.062  
.201  
.323  
.559  
.031  
---  
1.600  
0.350  
1.280  
4.700  
0.450  
1.580  
5.100  
190  
22  
F
G
H
J
7.800  
13.80  
.600  
8.200  
14.20  
.800  
Cob  
---  
(VCB=10Vdc, IE=0, f=1.0MHz)  
(1) hFE Classification B: 85~170, C: 120~240  
0.350  
.550  
K
L
.014  
.022  
1.270  
.050  
M
.096  
.104  
2.440  
2.640  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: 1  
2009/04/24  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD468-B-T92-K UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO
2SD468-B-T9N-B UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO
2SD468BTZ RENESAS

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 		1000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92MOD, 3 PIN
2SD468BTZ HITACHI

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 		暂无描述
2SD468BTZ-E RENESAS

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 		Silicon NPN Epitaxial
2SD468C ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
2SD468C(TO-92NL) UTC

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 		Transistor
2SD468C-BP MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SD468C-E RENESAS

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 		1000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92MOD, 3 PIN
2SD468-C-T92-B UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO

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