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2SD400E

更新时间: 2024-02-08 11:24:25
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三洋 - SANYO 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 449K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92VAR

2SD400E 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.79最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:25 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):280JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.9 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):180 MHz
VCEsat-Max:0.3 VBase Number Matches:1

2SD400E 数据手册

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