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2SD313L-E-TA3-T

更新时间： 2024-02-28 15:07:54

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描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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2SD313L-E-TA3-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	8 MHz	Base Number Matches：	1

2SD313L-E-TA3-T 数据手册

Transys

Electronics

I M I T E D

TO-220 Plastic-Encapsulate Transistors

2SD313 TRANSISTOR (NPN)

TO-220

1. BASE

FEATURES

Power dissipation

2. COLLECTOR

3. EMITTER

P_CM:

1.75

W (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM:

1 2 3

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

Ic=100µA, I_E=0

Ic=1mA, I_B=0

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_E=100µA, I_C=0

V_CB=60V, I_E=0

V_CE=60V, I_E=0

V_EB=4V, I_C=0

µA

100

I_CEO

Collector cut-off current

I_EBO

Emitter cut-off current

100

320

h_FE(1)

V_CE=2V, I_C=1A

DC current gain

h_FE(2)

_CE=2V, I_C=0.1A

I_C=2A, I_B=200mA

_CE=2V, I_C=1A

V_CE(sat)

V_BE

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

1.5

MHz

Transition frequency

f_T

V_CE=5V, I_C=500mA

_CB=10V, I_E=0,f=1MHz

C_ob

Collector output capacitance

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

Range

40-80

60-120

100-200

160-320

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