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2SD1816-R-TM3-B-R

更新时间: 2024-01-21 18:25:11
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描述
HIGH CURRENT SWITCHIG APPLICATIONS

2SD1816-R-TM3-B-R 技术参数

生命周期:Active包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.59
Base Number Matches:1

2SD1816-R-TM3-B-R 数据手册

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2SD1816  
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
Ic -VCE  
Ic-V  
CE  
2.0  
5
4
100mA  
mA  
80mA  
70mA  
60mA  
90  
1.6  
1.2  
3
2
3mA  
2mA  
0.8  
5mA  
mA  
0.4  
0
1
0
1mA  
2
IB=0  
3
IB=0  
30  
0
1
5
0
20  
40  
50  
2
4
10  
Collector to Emitter Voltage, (V)  
VCE  
(V)  
Collector to Emitter Voltage,VCE  
h
FE - Ic  
Ic -VBE  
1000  
5
VCE=5V  
V =5V  
CE  
7
5
Ta  
=75℃  
4
3
2
3
2
-25℃  
25℃  
100  
7
5
3
2
Ta=75℃  
25℃  
-25℃  
1
0
10  
7
5
5
2
3
5
2
3
5
2
3
5
1.2  
10  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
0.01  
0.1  
1.0  
,VBE (V)  
Collector Current, C(A)  
I
Base to Emitter Voltage  
fT -I c  
V
CB  
Cob-  
5
3
2
f=1MHZ  
VCE=10V  
3
2
100  
7
100  
5
7
3
2
5
3
2
7
5
10  
2
3
5
7
3
5
2
5
7
2
3
5
7
2
2
3
5
7
3
5
2
7 100  
1.0  
0.1  
1.0  
10  
Colletcor to Base Voltage, VCB (V)  
Colletcor Current,Ic(A)  
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
3 of 4  
QW-R209-011,B  
www.unisonic.com.tw  

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