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2SD1815

更新时间： 2024-02-18 06:55:11
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SECOS /
页数 文件大小 规格书
2页 403K
描述
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor

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2SD1815 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.38Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：20 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：180 MHz
Base Number Matches：1

2SD1815 数据手册

 浏览型号2SD1815的Datasheet PDF文件第2页 
2SD1815  
3A , 120V  
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
TO-251  
FEATURES  
Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage  
Excllent Linearity of hFE  
High fT  
Fast Switching Time  
A
B
C
D
CLASSIFICATION OF hFE  
Product-Rank  
2SD1815-Q  
2SD1815-R  
100~200  
2SD1815-S  
140~280  
G E  
Range  
70~140  
K
H
P
F
Collector  
  
M
J
Millimeter  
Millimeter  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
6.80  
5.50  
2.40  
0.90  
7.50  
9.65  
Min.  
5.40  
0.85  
Max.  
6.25  
1.50  
  
Base  
A
B
C
D
E
F
6.35  
4.90  
2.15  
0.43  
6.50  
7.20  
G
H
J
K
M
P
2.30  
0.60  
0.50  
0.43  
1.05  
0.90  
0.62  
  
Emitter  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
Collector to Base Voltage  
120  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current -Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
100  
V
6
V
A
3
1
PC  
W
℃
℃
TJ  
150  
Storage Temperature  
TSTG  
-55 ~ 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Min.  
120  
100  
Typ.  
-
-
Max.  
-
-
Unit  
V
V
Test Conditions  
IC=10μA, IE=0  
IC=1mA, IB=0  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
6
-
-
-
V
IE=10μA, IC=0  
-
-
1
μA  
μA  
VCB=100V, IE=0  
VEB=4V, IC=0  
Emitter cut-off current  
IEBO  
-
1
70  
40  
-
-
280  
VCE=5V, IC=500mA  
VCE=5V, IC=2A  
DC current gain  
hFE  
-
-
Collector-emitter saturation voltage  
Base -emitter saturation voltage  
Transition frequency  
Collector Output Capacitance  
Turn-on time  
VCE(sat)  
-
0.4  
V
V
IC=1.5A, IB=150mA  
IC=1.5A, IB=150mA  
VCE=10V, IC=500mA  
VCB=10V, IE=0, f=1MHz  
VBE(sat)  
-
-
1.2  
fT  
COB  
ton  
tS  
-
180  
25  
100  
900  
50  
-
-
-
-
-
MHz  
pF  
-
-
VCC=50V, IC=1.5A,  
nS  
Storage time  
-
IB1= -IB2= -0.15A  
Fall time  
tf  
-
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
25-Feb-2014 Rev. B  
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