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2SD1705Q

更新时间： 2024-01-02 18:57:19

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其他 - ETC		晶体晶体管
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4页	68K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-247VAR

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2SD1705Q 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	10 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	60
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

2SD1705Q 数据手册

2SD1705

Power Transistors

P_C T_a

I_C V_CE

V_CE(sat) I_C

1ꢁ0

100

(1)T_C=Ta

(ꢁ)With a 100×100×ꢁmm

Al heat sink

(ꢀ)Without heat sink

(P_C=ꢀ.0W)

(1) I_C/I_B=10

(2) I_C/I_B=20

T_C=25˚C

I_B=400mA

(1)

(2)

(1)

250mA

200mA

160mA

0.3

0.1

120mA

100mA

80mA

60mA

40mA

20mA

ꢁ0

(ꢁ)

0.03

0.01

(ꢀ)

ꢁ5

100 1ꢁ5 150

0.1

0.3

(

)

( )

Ambient temperature T_a˚C

Collector to emitter voltage V_CE

Collector current I_C

V_CE(sat) I_C

V_BE(sat) I_C

h_FE I_C

100

I_C/I_B=10

V_CE=2V

1000

300

100

T_C=100˚C

25˚C

T_C=100˚C

–25˚C

T_C=–25˚C

0.3

0.1

25˚C

100˚C

0.3 25˚C

–25˚C

0.1

0.03

0.01

0.03

0.01

0.01 0.03

0.1

0.3

0.1 0.3

0.1

0.3

( )

Collector current I_CA

Collector current I_C

f_T I_C

t_on, t_stg, t_f I_C

Area of safe operation (ASO)

1000

100

Non repetitive pulse

T_C=25˚C

Pulsed t_w=1ms

Duty cycle=1%

I_C/I_B=10(I_B1=–I_B2

V_CC=50V

V_CE=10V

f=1MHz

T_C=25˚C

)

300

100

I_CP

I_C

t=10ms

t=1ms

T_C=25˚C

t_stg

t_on

t_f

0.3

0.1

0.3

0.1

0.3

0.1

0.03

0.01

0.03

0.01

0.01 0.03

0.1 0.3

100 300 1000

( )

Collector to emitter voltage V_CEV

Collector current I_C

ꢁ

123 4

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