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2SD1706

更新时间: 2024-01-30 18:33:50
品牌 Logo 应用领域
无锡固电 - ISC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 231K
描述
Silicon NPN Power Transistor

2SD1706 技术参数

生命周期:Lifetime Buy包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.61
最大集电极电流 (IC):15 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):60最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):3 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
Base Number Matches:1

2SD1706 数据手册

 浏览型号2SD1706的Datasheet PDF文件第2页 
INCHANGE Semiconductor  
isc Product Specification  
isc Silicon NPN Power Transistor  
2SD1705  
DESCRIPTION  
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-  
: V(BR)CEO= 80V(Min)  
·Good Linearity of hFE  
·Low Collector Saturation Voltage-  
: VCE(sat)= 0.5V(Max.)@ IC= 6A  
·Complement to Type 2SB1154  
APPLICATIONS  
·Designed for power switching applications  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VALUE  
UNIT  
130  
80  
V
V
V
A
A
7
Collector Current-Continuous  
Collector Current-Pulse  
10  
ICP  
20  
Collector Power Dissipation  
@ TC=25℃  
70  
PC  
W
Collector Power Dissipation  
@ Ta=25℃  
3
TJ  
Junction Temperature  
150  
-55~150  
Storage Temperature Range  
Tstg  
isc Websitewww.iscsemi.cn  

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