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2SD1616A-Y-AB3-B

更新时间： 2024-02-08 13:29:16

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描述
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

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2SD1616A-Y-AB3-B 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-89
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.03
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	135
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	160 MHz	Base Number Matches：	1

2SD1616A-Y-AB3-B 数据手册

2SD1616/A

NPN SILICON TRANSISTOR

ꢀ

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25

°C)

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

RATINGS

UNIT

2SD1616

Collector to Base Voltage

2SD1616A

2SD1616

120

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

V_CEO

2SD1616A

V_EBO

I_C

Pulse(Note2)

I_CM

P_C

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

750

T_J

+150

-55 ~ +150

T_STG

Note: 1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.

Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.

2. Pulse width

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

PARAMETER SYMBOL

≤10ms, Duty cycle<50%

ꢀ

C, unless otherwise specified.)

TEST CONDITIONS MIN

TYP MAX UNIT

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Base Emitter On Voltage

V_{CE (SAT)}I_C=1A, I_B=50mA

V_{BE (SAT)}I_C=1A, I_B=50mA

V_{BE (ON)}V_CE=2V, I_C=50mA

0.15

0.9

0.3

1.2

600

640

700

100

600

400

Collector Cut-Off Current

I_CBO

I_EBO

V_CB=60V

V_EB= 6V

Emitter Cut-Off Current

2SD1616

135

h_FE1

V_CE=2V, I_C=100mA

DC Current Gain

2SD1616A

h_FE2

f_T

V_CE=2V, I_C=1A

Transition Frequency

Output Capacitance

Turn On Time

V_CE=2V, I_C=100mA

V_CB=10V, f =1MHz

100

160

MHz

C_ob

t_ON

t_STG

t_F

V_CE=10V, I_C=100mA

I_B1= -I_B2=10mA

0.07

0.95

0.07

Storage Time

Fall Time

V_BE(OFF)= -2 ~ -3V

ꢀ

CLASSIFICATION OF h_FE1

RANK

h_FE1

135 ~ 270

200 ~ 400

300 ~ 600

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

2 of 4

QW-R201-008,C

www.unisonic.com.tw

123 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SD1616A-Y-AB3-K	UTC	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR	获取价格
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