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2SD1616A-X-T92-K

更新时间: 2022-04-23 23:00:11
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友顺 - UTC 晶体晶体管
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4页 67K
描述
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

2SD1616A-X-T92-K 数据手册

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2SD1616/A  
NPN SILICON TRANSISTOR  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
CurrentGain-BandwidthProduct  
Collector OutputCapacitance  
1000  
1000  
IE=0  
f=1.0MHz  
VCE=2V  
500  
300  
500  
300  
100  
100  
50  
30  
50  
30  
10  
5
10  
5
3
3
1
0.01 0.03  
0.1  
0.3  
1
3
5
10  
1
3
5
10  
30 50 100  
300  
Collector-Base Voltage, VCB (V)  
Collector Current, IC (A)  
Static Characteristic  
Static Characteristic  
100  
10  
IB=5.0mA  
A
IB=300μA  
IB=3.5mA  
m
0
.
A
4
=
m
IB=3.0mA  
IB=2.5mA  
B
I
5
.
80  
60  
40  
20  
0.8  
4
IB=250μA  
IB=200μA  
=
I B  
0.6  
0.4  
0.2  
IB=2.0mA  
IB=1.5mA  
IB=150μA  
IB=100μA  
IB=50μA  
IB=1.0mA  
IB=0.5mA  
0
2
4
6
8
10  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
10  
Collector-Emitter Voltage , VCE (V)  
Collector-Emitter Voltage, VCE (V)  
Switching Time  
10  
VCC=10V  
IC=10×IB1= -10×IB2  
5
3
1
tSTG  
0.5  
0.3  
0.1  
tF  
0.05  
0.03  
tON  
0.01  
0.001 0.003 0.01 0.030.05 0.1  
0.30.5  
1
CollectorCurrent, IC (A)  
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
3 of 4  
QW-R201-008,C  
www.unisonic.com.tw  

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