2SD1547

更新时间： 2024-02-23 01:07:56

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	92K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD1547 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	7 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	8
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1547 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1547

DESCRIPTION

·With TO-3P(H)IS package

·High voltage ,high speed

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·Color TV horizontal output applications

·Switching regulator output applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

1500

600

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

Open collector

I_B

Base current

3.5

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

150

-55~150

T_j

T_stg

12 3

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