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2SD1267P

更新时间： 2024-01-22 00:15:31
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3页 52K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186

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2SD1267P 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.75Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：20 MHzBase Number Matches：1

2SD1267P 数据手册

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Power Transistors  
2SD1267, 2SD1267A  
Silicon NPN triple diffusion planar type  
For power amplification  
Complementary to 2SB0942 (2SB942) and 2SB0942A (2SB942A)  
Unit: mm  
Features  
■
10.0±0.2  
5.5±0.2  
4.2±0.2  
●
High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity  
2.7±0.2  
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
●
Full-pack package which can be installed to the heat sink with  
one screw  
φ3.1±0.1  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
1.3±0.2  
Collector to  
2SD1267  
2SD1267A  
2SD1267  
60  
1.4±0.1  
VCBO  
V
base voltage  
Collector to  
80  
+0.2  
–0.1  
0.5  
0.8±0.1  
60  
VCEO  
V
emitter voltage 2SD1267A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
80  
2.54±0.25  
VEBO  
ICP  
5
V
A
A
5.08±0.5  
8
1
2
3
IC  
4
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
TO–220 Full Pack Package(a)  
Collector power TC=25°C  
40  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
2
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Collector cutoff  
Symbol  
ICES  
Conditions  
min  
typ  
max  
400  
400  
700  
700  
1
Unit  
2SD1267  
2SD1267A  
2SD1267  
2SD1267A  
VCB = 60V, VBE = 0  
µA  
current  
VCB = 80V, VBE = 0  
VCE = 30V, IB = 0  
VCE = 60V, IB = 0  
VEB = 5V, IC = 0  
Collector cutoff  
current  
ICEO  
IEBO  
VCEO  
µA  
mA  
V
Emitter cutoff current  
Collector to emitter 2SD1267  
voltage 2SD1267A  
60  
80  
70  
15  
IC = 30mA, IB = 0  
*
hFE1  
VCE = 4V, IC = 1A  
250  
Forward current transfer ratio  
Base to emitter voltage  
hFE2  
VBE  
VCE = 4V, IC = 3A  
VCE = 4V, IC = 3A  
2
V
V
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = 4A, IB = 0.4A  
1.5  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = 5V, IC = 0.5A, f = 1MHz  
20  
0.4  
1.2  
0.5  
MHz  
µs  
IC = 4A, IB1 = 0.4A, IB2 = – 0.4A,  
VCC = 50V  
µs  
µs  
*hFE1 Rank classification  
Rank  
hFE1  
Q
P
70 to 150  
120 to 250  
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.  
1
123

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