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2SD1269Q

更新时间： 2024-02-22 20:31:03

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4页	75K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| SOT-186

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2SD1269Q 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2SD1269Q 数据手册

Power Transistors

2SD1269

Silicon NPN epitaxial planar type

For power switching

Unit: mm

Complementary to 2SB0944 (2SB944)

10.0 0.2

5.5 0.2

4.2 0.2

2.7 0.2

Features

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Satisfactory linearity of foward current transfer ratio h_FE

Large collector current I_C

φ3.1 0.1

Full-pack package which can be installed to the heat sink with

one screw

1.3 0.2

1.4 0.1

+0.2

–0.1

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

0.5

0.8 0.1

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

2.54 0.25

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

130

5.08 0.5

1:Base

2:Collector

3:Emitter

I_C

TO–220 Full Pack Package(a)

Collector power T_C=25°C

P_C

dissipation

Ta=25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

V_CB= 100V, I_E= 0

I_EBO

V_CEO

h_FE1

V_EB= 5V, I_C= 0

I_C= 10mA, I_B= 0

Collector to emitter voltage

_CE= 2V, I_C= 0.1A

Forward current transfer ratio

h_FE2

V_CE= 2V, I_C= 1A

260

0.5

1.5

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= 3A, I_B= 0.15A

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= 10V, I_C= 0.5A, f = 10MHz

0.5

MHz

µs

I_C= 1A, I_B1= 0.1A, I_B2= – 0.1A,

V_CC= 50V

2.5

µs

0.15

µs

^*h_FE2Rank classification

Rank

h_FE2

60 to 120

90 to 180

130 to 260

Note.) The Part number in the Parenthesis shows conventional part number.

12 3 4

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