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2SD1271AR

更新时间： 2024-02-23 22:00:34
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 68K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 7A I(C) | SOT-186

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2SD1271AR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.65外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：7 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：30 MHz
Base Number Matches：1

2SD1271AR 数据手册

 浏览型号2SD1271AR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD1271AR的Datasheet PDF文件第3页 
Power Transistors  
2SD1277, 2SD1277A  
Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington  
For midium speed power switching  
Unit: mm  
10.0±0.2  
5.5±0.2  
4.2±0.2  
Complementary to 2SB0951 (2SB951) and 2SB0951A (2SB951A)  
2.7±0.2  
Features  
High foward current transfer ratio hFE  
■
●
φ3.1±0.1  
●
High-speed switching  
●
Full-pack package which can be installed to the heat sink with  
one screw  
1.3±0.2  
1.4±0.1  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
+0.2  
–0.1  
0.5  
0.8±0.1  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Collector to  
2SD1277  
2SD1277A  
2SD1277  
60  
VCBO  
V
2.54±0.25  
base voltage  
Collector to  
80  
5.08±0.5  
60  
1
2
3
VCEO  
V
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
emitter voltage 2SD1277A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
80  
VEBO  
ICP  
7
V
A
A
TO–220 Full Pack Package(a)  
12  
Internal Connection  
IC  
8
C
E
Collector power TC=25°C  
45  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
2
B
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
100  
100  
2
Unit  
µA  
mA  
V
Collector cutoff  
2SD1277  
VCB = 60V, IE = 0  
current  
2SD1277A  
VCB = 80V, IE = 0  
VEB = 7V, IC = 0  
Emitter cutoff current  
IEBO  
Collector to emitter 2SD1277  
voltage 2SD1277A  
60  
80  
VCEO  
IC = 30mA, IB = 0  
*
hFE1  
VCE = 3V, IC = 4A  
VCE = 3V, IC = 8A  
IC = 4A, IB = 8mA  
2000  
500  
10000  
Forward current transfer ratio  
hFE2  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
1.5  
2
V
V
IC = 4A, IB = 8mA  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = 10V, IC = 0.5A, f = 1MHz  
20  
MHz  
µs  
0.5  
4
IC = 4A, IB1 = 8mA, IB2 = –8mA,  
VCC = 50V  
µs  
1
µs  
*hFE1 Rank classification  
Rank  
hFE1  
Q
P
2000 to 5000 4000 to 10000  
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.  
1
123

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