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2SD1269Q

更新时间： 2024-01-29 19:23:27

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	75K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| SOT-186

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2SD1269Q 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2SD1269Q 数据手册

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Power Transistors

2SD1269

R_th(t)— t

10³

10²

10

(1) Without heat sink

(2) With a 100 × 100 × 2mm Al heat sink

(1)

(2)

1

10^–1

10^–2

10^–4

10^–3

10^–2

10^–1

1

10

10²

10³

10⁴

( )

s

Time

t

3

1 234

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与2SD1269Q相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SD1269R	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| SOT-186	获取价格
2SD1270	PANASONIC	Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching)	获取价格
2SD1270	Wing Shing	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(POWER AMPLIFIER VERTICAL DEFLECTION OUTPUT)	获取价格
2SD1270	ISC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2SD1270	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2SD1270P	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SOT-186	获取价格

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