2SD1268

更新时间： 2024-01-03 04:11:08

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	230K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SD1268 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SD1268 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD1268

DESCRIPTION

·Low Collector Saturation Voltage

: V_CE(sat)= 0.5V(Max)@ I_C= 2A

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 80V (Min)

·Good Linearity of h_FE

·Complement to Type 2SB943

APPLICATIONS

·Designed for power switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

130

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

T_J

Junction Temperature

150

℃

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SD1268Q	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SOT-186	获取价格
2SD1268R	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SOT-186	获取价格
2SD1269	PANASONIC	Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching)	获取价格
2SD1269P	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| SOT-186	获取价格