是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.75 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC): | 4 A |
集电极-发射极最大电压: | 60 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 40 | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 2 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 20 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SD1267P | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186 |
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2SD1267Q | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186 |
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2SD1267R | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186 |
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2SD1268 | PANASONIC | Silicon NPN epitaxial planar type(For power switching) |
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2SD1268 | ISC | Silicon NPN Power Transistor |
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2SD1268P | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-186 |
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