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2SD1256Q

更新时间： 2024-01-15 06:18:14

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4页	60K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-221VAR

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2SD1256Q 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz

2SD1256Q 数据手册

Power Transistors

2SD1256

Silicon NPN epitaxial planar type

Unit: mm

3.4±0.3

8.5±0.2

6.0±0.5

For power switching

1.0±0.1

Complementary to 2SB0933 (2SB933)

Features

■

1.5max.

1.1max.

0.5max.

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Satisfactory linearity of foward current transfer ratio h_FE

●

0.8±0.1

●

Large collector current I_C

2.54±0.3

●

N type package enabling direct soldering of the radiating fin to

5.08±0.5

the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.

1:Base

2:Collector

3:Emitter

N Type Package

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

Unit: mm

3.4±0.3

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

8.5±0.2

6.0±0.3

1.0±0.1

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

130

I_C

R0.5

0.8±0.1

Collector power T_C=25°C

0 to 0.4

2.54±0.3

1.1 max.

P_C

5.08±0.5

dissipation

Ta=25°C

1.3

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

1:Base

2:Collector

3:Emitter

T_stg

–55 to +150

N Type Package (DS)

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

V_CB= 100V, I_E= 0

I_EBO

V_CEO

h_FE1

V_EB= 5V, I_C= 0

I_C= 10mA, I_B= 0

Collector to emitter voltage

_CE= 2V, I_C= 0.1A

Forward current transfer ratio

h_FE2

V_CE= 2V, I_C= 2A

260

0.5

1.5

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= 4A, I_B= 0.2A

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= 10V, I_C= 0.5A, f = 10MHz

0.5

MHz

µs

I_C= 2A, I_B1= 0.2A, I_B2= – 0.2A,

V_CC= 50V

1.5

µs

0.15

µs

^*h_FE2Rank classification

Rank

h_FE2

60 to 120

90 to 180

130 to 260

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

12 3 4

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