Datasheet > 2SD1257P

2SD1257P

更新时间： 2024-01-21 05:59:58

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
4页	62K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| TO-221VAR

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SD1257P 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	7 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	0.5 V

2SD1257P 数据手册

Power Transistors

2SD1257, 2SD1257A

Silicon NPN epitaxial planar type

Unit: mm

For power switching

3.4±0.3

8.5±0.2

6.0±0.5

1.0±0.1

Complementary to 2SB0934 (2SB934)

Features

■

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

1.5max.

1.1max.

0.5max.

●

Satisfactory linearity of foward current transfer ratio h_FE

Large collector current I_C

N type package enabling direct soldering of the radiating fin to

●

0.8±0.1

●

the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.

2.54±0.3

5.08±0.5

1:Base

2:Collector

3:Emitter

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

N Type Package

Collector to

2SD1257

2SD1257A

2SD1257

130

Unit: mm

V_CBO

8.5±0.2

6.0±0.3

3.4±0.3

base voltage

Collector to

150

1.0±0.1

V_CEO

emitter voltage 2SD1257A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

100

V_EBO

I_CP

R0.5

I_C

0.8±0.1

0 to 0.4

2.54±0.3

1.1 max.

Collector power T_C=25°C

5.08±0.5

P_C

dissipation

Ta=25°C

1.3

1:Base

2:Collector

3:Emitter

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

N Type Package (DS)

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

V_CB= 100V, I_E= 0

I_EBO

V_CEO

h_FE1

V_EB= 5V, I_C= 0

µA

Collector to emitter 2SD1257

100

I_C= 10mA, I_B= 0

voltage

2SD1257A

V_CE= 2V, I_C= 0.1A

Forward current transfer ratio

h_FE2

V_CE= 2V, I_C= 3A

260

0.5

1.5

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= 5A, I_B= 0.25A

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= 10V, I_C= 0.5A, f = 10MHz

0.5

1.5

0.1

MHz

µs

I_C= 3A, I_B1= 0.3A, I_B2= – 0.3A,

V_CC= 50V

µs

^*h_FE2Rank classification

Rank

h_FE2

60 to 120

90 to 180

130 to 260

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

12 3 4

下载PDF

与2SD1257P相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SD1257-P	KEXIN	NPN Transistors	获取价格
2SD1257Q	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| TO-221VAR	获取价格
2SD1257-Q	KEXIN	NPN Transistors	获取价格
2SD1257R	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| TO-221VAR	获取价格
2SD1257-R	KEXIN	NPN Transistors	获取价格
2SD1258	PANASONIC	Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification with high forward current	获取价格