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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.87 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.0004 A | 基于收集器的最大容量： | 10 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JEDEC-95代码： | TO-39 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SCR293P | ROHM |
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Midium Power Transistors (30V / 1A) |
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| 2SCR293P5 | ROHM |
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2SCR293P5是低VCE(sat)的低频放大用晶体管。 |
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| 2SCR293P5T100 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MPT3, SC- |
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| 2SCR293PFRAT100 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-62, 3 |
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| 2SCR293PHZG | ROHM |
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2SCR293PHZG是一款低VCE(sat)晶体管，非常适用于低频放大应用，是符合AEC |
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| 2SCR293PT100 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMP |
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| 2SCR341Q | ROHM |
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2SCR341Q是适用于低频放大用途的中功率晶体管。 |
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| 2SCR346P | ROHM |
获取价格 |
2SCR346P是适用于低频放大用途的中功率晶体管。 |
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| 2SCR346PT100 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, |
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| 2SCR346PT100P | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
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