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2SCR372PR100

更新时间： 2024-01-31 13:50:56

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	1063K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MPT3, 3 PIN

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2SCR372PR100 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.7 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	220 MHz	Base Number Matches：	1

2SCR372PR100 数据手册

Data Sheet

Midium Power Transistors (120V / 700mA)

2SCR372P

 Structure

 Dimensions(Unit : mm)

NPN Silicon epitaxial planar transistor

MPT3

 Features

Low saturation voltage

_{CE (sat)}= 0.3V (Max.) (I_C/ I_B= 500mA / 50mA)

(1)

(2)

(3)

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

 Applications

Abbreviated symbol : GX

Driver

 Packaging specifications

 Inner circuit(Unit : mm)

Package

Taping

T100

1000



(2)

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

2SCR372P

(1)

hFE values are classified follows :

Item

hFE

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

(3)

120 to 270 180 to 390

 Absolute maximum ratings(Ta = 25C)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Limits

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

120

Collector current

Pulsed

0.7

I_CP

1.4

P_D

0.5

C

Power dissipation

P_D

Junction temperature

T_j

150

Range of storage temperature

T_stg

55 to 150

*1 Pw=10ms, Single Pulse

*2 Each terminal mounted on a recommended land.

*3 Mounted on a ceramic board. (40x40x0.7mm)

www.rohm.com

2011.04 - Rev.A

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SCR372PT100	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
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