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2SCR293P

更新时间： 2024-01-23 04:56:08

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罗姆 - ROHM		晶体晶体管
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6页	486K
描述
Midium Power Transistors (30V / 1A)

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2SCR293P 数据手册

Midium Power Transistors (30V / 1A)

2SCR293P

 Structure

 Dimensions (Unit : mm)

NPN Silicon epitaxial planar transistor

MPT3

(SC-63)

<SOT-428>

 Features

Low saturation voltage

V_{CE (sat)}= 0.35V (Max.) (I_C/ I_B= 500mA / 25mA)

(1)

(2)

(3)

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

 Applications

Abbreviated symbol : NV

Driver

 Packaging specifications

 Inner circuit (Unit : mm)

Package

MPT3

T100

(2)

Type

Code

Basic ordering unit (pieces) 1000

(1)

Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

Limits

Unit

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

(3)

Collector current

Pulsed

I_CP

P_D

T_j

0.5

°C

Power dissipation

2.0

Junction temperature

150

Range of storage temperature

T_stg

-55 to 150

*1 Pw=10ms, Single Pulse

*2 Mounted on a recommended land

*3 Mounted on a 40×40×0.7 [mm] ceramic substrate

www.rohm.com

2010.12 - Rev.A

1/5

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