是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 13 weeks |
风险等级: | 5.71 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压: | 400 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 120 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-F3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 2 W |
表面贴装: | YES | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
VCEsat-Max: | 0.3 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SCR372P | ROHM |
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Midium Power Transistors (120V / 700mA) | |
2SCR372P5 | ROHM |
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2SCR372P5是适合低频放大用途的低VCE(sat)晶体管。 | |
2SCR372PHZG | ROHM |
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2SCR372PHZG是低VCE(sat)的低频放大用晶体管。 | |
2SCR372PR100 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MPT3, | |
2SCR372PT100 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C | |
2SCR372PT100R | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), NPN | |
2SCR375P5 | ROHM |
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2SCR375P5是适合低频放大用途的低VCE(sat)晶体管。 | |
2SCR375PHZG | ROHM |
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2SCR375PHZG是低VCE(sat)的低频放大用晶体管。 | |
2SCR375PT100Q | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor | |
2SCR502E3 (新产品) | ROHM |
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The NPN general purpose transistor 2SCR502E3 is designed for low frequency amplifiers. |