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2SC945Y

更新时间： 2024-01-18 05:40:27
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
2页 271K
描述
150mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC PACKAGE-3

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2SC945Y 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.69最大集电极电流 (IC)：0.15 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

2SC945Y 数据手册

 浏览型号2SC945Y的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
TM  
2SC945  
Micro Commercial Components  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢇꢈꢉꢈ ꢆ!ꢊꢉ"#ꢋꢌꢌ  
$ꢍ%ꢅꢆ ꢆ ꢆ ꢇꢈꢉꢈ ꢆ!ꢊꢉ"#ꢋꢌꢋ  
Features  
·
·
·
·
Capable of 0.4Watts of Power Dissipation.  
NPN Silicon  
Plastic-Encapsulate  
Transistor  
Collector-current 0.15A  
Collector-base Voltage 60V  
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
•
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
TO-92  
A
E
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
B
OFF CHARACTERISTICS  
V (BR)CEO  
V (BR)CBO  
V (BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(I C=0.1mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(I C=1000uAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(I E=100uAdc, IC=0)  
50  
60  
Vdc  
Vdc  
5.0  
Vdc  
C
Collector Cutoff Current  
0.1  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
uAdc  
(V CB=60Vdc, I =0Adc)  
E
I
Collector Cutoff Current  
(V CE=55Vdc,R=10M OHM)  
Emitter Cutoff Current  
CER  
IEBO  
(V EB=5.0Vdc, I =0Adc)  
C
ON CHARACTERISTICS  
D
h FE(1)  
h FE(2)  
V CE(sat)  
V BE(sat)  
VBE  
DC Current Gain  
(I =1.0mAdc, VCE=6.0Vdc)  
DC Current Gain  
70  
40  
700  
C
(I C=0.1mAdc, VCE=6.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I C=100mAdc, IB=10mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I C=100mAdc, IB=10mAdc)  
B
C
E
0.3  
1.0  
1.4  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
G
Base-Emitter Voltage  
(I E=310mAdc)  
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.010  
MM  
MIN  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
MAX  
4.83  
4.83  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
NOTE  
f T  
Transistor Frequency  
.190  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
(I =10mAdc, VCE=6.0Vdc, f=30MHz)  
C
150  
MHz  
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
E
G
Rank  
O
Y
GR  
200-400  
BL  
350-700  
Range  
70-140  
120-240  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: 4  
2006/05/16  
12

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与2SC945Y相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC945-Y MCC

获取价格

 		NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor
2SC945-Y-A MCC

获取价格

 		Transistor
2SC945-Y-AP MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2SC945-Y-AP-HF MCC

获取价格

 		暂无描述
2SC945-Y-BP MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2SC945-Y-BP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SC947 ONSEMI

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 		TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,15MA I(C),TO-72, BIP General Purpose Small Sign
2SC948 ONSEMI

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 		TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,15MA I(C),TO-72, BIP General Purpose Small Sign
2SC959 ONSEMI

获取价格

 		TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,80V V(BR)CEO,700MA I(C),TO-5, BIP General Purpose Small Sign
2SC960 ETC

获取价格

 		PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

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