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2SC789

更新时间： 2024-01-27 04:25:11

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	123K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC789 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	4 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	40	最高工作温度：	140 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	30 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz

2SC789 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC789

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

V_CEsat

V_BEsat

I_CBO

PARAMETER

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

CONDITIONS

MIN

TYP. MAX UNIT

I_C=25m A;I_B=0

I_E=1mA; I_C=0

I_C=2 A;I_B=0.2 A

V_CB=70V; I_E=0

V_EB=5V; I_C=0

1.0

1.5

0.1

240

I_EBO

Emitter cut-off current

h_FE

DC current gain

I_C=0.5A ; V_CE=5V

I_C=0.5A ; V_CE=10V

f_T

Transition frequency

MHz

h_FEclassifications

40-80

70-140

120-240

123

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