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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.4 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.08 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 标称过渡频率 (fT)： | 10000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5700WB-TR-E | RENESAS |
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Silicon NPN Epitaxial VHF/UHF wide band amplifier |
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| 2SC5702 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial High Frequency Amplifier / Oscillator |
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| 2SC5702 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial High Frequency Amplifier / Oscillator |
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| 2SC5702ZS-TL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial High Frequency Amplifier / Oscillator |
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| 2SC5703 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type |
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| 2SC5703(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,4A I(C),SOT-346 |
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| 2SC5703_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial Type High-Speed Switching Applications |
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| 2SC5704 | ETC |
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BJT |
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| 2SC5704(NE662M16) | ETC |
获取价格 |
Discrete |
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| 2SC5704FB | RENESAS |
获取价格 |
S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEADLESS, MINIMOLD PACKAGE-6 |
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