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2SC5702ZS-TL-E

更新时间: 2024-02-14 23:33:03
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瑞萨 - RENESAS 振荡器放大器
页数 文件大小 规格书
15页 272K
描述
Silicon NPN Epitaxial High Frequency Amplifier / Oscillator

2SC5702ZS-TL-E 技术参数

生命周期:Not Recommended零件包装代码:SC-89
包装说明:MODIFIED SC-89, MFPAK-3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.45
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.05 A
基于收集器的最大容量:1.2 pF集电极-发射极最大电压:6 V
配置:SINGLE最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-F3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):8000 MHz

2SC5702ZS-TL-E 数据手册

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2SC5702  
Silicon NPN Epitaxial  
High Frequency Amplifier / Oscillator  
REJ03G0752-0200  
(Previous ADE-208-1414)  
Rev.2.00  
Aug.10.2005  
Features  
High gain bandwidth product  
fT = 8 GHz typ.  
High power gain and low noise figure ;  
PG = 13 dB typ., NF = 1.05 dB typ. at f = 900 MHz  
Outline  
RENESAS Package code: PUSF0003ZA-A  
(Package name: MFPAK R  
)
3
. Emitter  
2. Base  
3. Collector  
Note: Marking is “ZS-”.  
trademark of Renesas Technology Corp.  
Absolute Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Item  
Collector to base voltage  
Collector to emitter volta
Emitter to base volta
Collector current  
bol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
15  
6
V
1.5  
50  
V
mA  
mW  
°C  
°C  
Collector power dissipatio
Junction temperature  
Pc  
80  
Tj  
150  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 14  

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