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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC5346
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2SC5346

更新时间： 2024-01-27 20:39:10
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
2页 39K
描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency high breakdown voltage amplification)

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2SC5346 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：150 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：185
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：160 MHzBase Number Matches：1

2SC5346 数据手册

 浏览型号2SC5346的Datasheet PDF文件第2页 
Transistor  
2SC5346  
Silicon NPN epitaxial planer type  
For low-frequency high breakdown voltage amplification  
Complementary to 2SA1982  
Unit: mm  
2.5±0.1  
1.05  
±0.05  
6.9±0.1  
4.0  
(1.45)  
0.8  
0.7  
Features  
■
●
Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE  
.
●
●
High collector to emitter voltage VCEO  
Small collector output capacitance Cob.  
.
0.65 max.  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
0.45+–00..015  
■
2.5±0.5 2.5±0.5  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
1
2
3
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
150  
150  
V
5
100  
V
Note: In addition to the  
lead type shown in  
1:Emitter  
2:Collector  
mA  
mA  
W
the upper figure, the 3:Base  
IC  
50  
type as shown in  
the lower figure is  
also available.  
MT2 Type Package  
*1  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
1.0  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 ~ +150  
*1  
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm2 or more, and the board  
thickness of 1.7mm for the collector portion  
1.2±0.1  
0.65  
max.  
+
0.1  
0.45–0.05  
(HW type)  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
VCB = 100V, IE = 0  
C = 0.1mA, IB = 0  
min  
typ  
max  
Unit  
µA  
V
Collector cutoff current  
1
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
VCEO  
VEBO  
I
150  
5
IE = 10µA, IC = 0  
V
*1  
Forward current transfer ratio  
hFE  
VCE = 5V, IC = 10mA  
130  
330  
1
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = 30mA, IB = 3mA  
V
VCE = 10V, IC = 1mA, GV = 80dB  
Rg = 100kΩ, Function = FLAT  
VCB = 10V, IE = –10mA, f = 200MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
Noise voltage  
NV  
150  
160  
300  
mV  
Transition frequency  
fT  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
5
*1  
h
Rank classification  
FE  
Rank  
hFE  
R
S
130 ~ 220  
185 ~ 330  
1
12

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