2SC4985

更新时间： 2024-02-28 16:24:44

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松下 - PANASONIC		晶体开关晶体管功率双极晶体管
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描述
Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)

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2SC4985 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	800 V	配置：	SINGLE
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	1.5 V
Base Number Matches：	1

2SC4985 数据手册

Power Transistors

2SC4985

Silicon NPN triple diffusion planar type

For high breakdown voltage high-speed switching

Unit: mm

7.5±0.2

4.5±0.2

Features

High collector to base voltage V_CBO

■

90°

●

0.65±0.1

0.85±0.1

1.0±0.1

●

High collector to emitter V_CEO

Allowing automatic insertion with radial taping

●

0.8C

0.7±0.1

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

900

0.5±0.1

2.5±0.2

0.4±0.1

2.05±0.2

800

2.5±0.2

0.8C

1:Emitter

2:Collector

3:Base

I_C

1.5

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

MT3 Type Package

T_j

150

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

V_CB= 900V, I_E= 0

I_EBO

V_CEO

h_FE1

h_FE2

V_EB= 7V, I_C= 0

Collector to emitter voltage

I_C= 1mA, I_B= 0

800

V_CE= 5V, I_C= 50mA

V_CE= 5V, I_C= 500mA

I_C= 200mA, I_B= 40mA

V_CB= 10V, I_E= –50mA, f = 200MHz

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

1.5

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

MHz

µs

I_C= 200mA, I_B1= 40mA, I_B2= –80mA,

V_CC= 250V

µs

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