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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 7 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 60 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4850F31/E | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-247, Plastic |
|
| 2SC4850F31E | ROHM |
获取价格 |
7A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
|
| 2SC4851 | SANYO |
获取价格 |
Muting Circuits |
|
| 2SC4851 | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,15V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-70 |
|
| 2SC4852 | SANYO |
获取价格 |
Muting Circuits |
|
| 2SC4852 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor |
|
| 2SC4852 | TYSEMI |
获取价格 |
Small output capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. |
|
| 2SC4853 | SANYO |
获取价格 |
Low-Voltage, Low-Current High-Frequency Amp Applications |
|
| 2SC4853-3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 15MA I(C) | SOT-323 |
|
| 2SC4853-4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 15MA I(C) | SOT-323 |
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