5秒后页面跳转
2SC4851 PDF预览

2SC4851

更新时间: 2024-01-06 13:15:07
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO /
页数 文件大小 规格书
3页 83K
描述
Muting Circuits

2SC4851 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.55Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:15 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):800
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):240 MHzVCEsat-Max:0.03 V
Base Number Matches:1

2SC4851 数据手册

 浏览型号2SC4851的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC4851的Datasheet PDF文件第3页 

与2SC4851相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4852 SANYO

获取价格

Muting Circuits
2SC4852 KEXIN

获取价格

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SC4852 TYSEMI

获取价格

Small output capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage.
2SC4853 SANYO

获取价格

Low-Voltage, Low-Current High-Frequency Amp Applications
2SC4853-3 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 15MA I(C) | SOT-323
2SC4853-4 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 15MA I(C) | SOT-323
2SC4853-5 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 15MA I(C) | SOT-323
2SC4853A SANYO

获取价格

Low-Voltage, Low-Current High-Frequency Amplifier Applications
2SC4853A_12 SANYO

获取价格

Low-Voltage, Low-Current High-Frequency Amplifi er Applications
2SC4853A-4-TL-E ONSEMI

获取价格

射频晶体管,NPN 单 MCP,6 V,15 mA,fT = 5 GHz