2SC4366

更新时间： 2024-02-25 09:16:14

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日立 - HITACHI		晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	32K
描述
Silicon NPN Epitaxial

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2SC4366 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.49	最大集电极电流 (IC)：	0.3 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	500	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

2SC4366 数据手册

2SC4366

Typical Output Characteristics

Maximum Collector Dissipation Curve

150

100

I_B= 0

Ta = 25°C

100

150

Collector to Emitter Voltage V_CE(V)

Ambient Temperature Ta (°C)

DC Current Transfer Ratio vs. Collector

Current

Saturation Voltage vs. Collector

Current

1.0

10,000

V_CE= 6 V

Pulse

V_BE(sat)

0.3

0.1

3,000

1,000

Ta = 75°C

V_CE(sat)

–25

0.03

0.01

300

100

I_C= 10 I_B

Ta = 25°C

Pulse

100 300 1,000

Collector Current I_C(mA)

1 234 5 6

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