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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.77 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4355T114/F | ROHM |
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暂无描述 |
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| 2SC4355T114/FG | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SC4355T114/G | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SC4355T114E | ROHM |
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4A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SC4355T114F | ROHM |
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4A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SC4355T114G | ROHM |
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4A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SC4356 | ISAHAYA |
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SMALL-SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC4356 | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO |
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| 2SC4356-11-C | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92L, 3 |
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| 2SC4356-11-D | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92L, 3 |
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