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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.61 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4356E | ISAHAYA |
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暂无描述 |
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| 2SC4356-T11-C | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92L, 3 |
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| 2SC4357 | ISAHAYA |
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FOR HIGH CURRENT DRIVE AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE |
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| 2SC4357 | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-89, 3 |
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| 2SC4357-13-1C | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-62, 3 |
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| 2SC4357-13-1D | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-62, 3 |
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| 2SC4357-13-1E | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-62, 3 |
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| 2SC4357C | ISAHAYA |
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Transistor |
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| 2SC4357D | ISAHAYA |
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Transistor |
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| 2SC4357LC | ISAHAYA |
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Transistor |
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