2SC4184

更新时间： 2024-09-29 22:52:43

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日电电子 - NEC		振荡器晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
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描述
UHF OSCILLATOR AND VHF MIXER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD

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2SC4184 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, SUPERMINI-3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	1.2 pF	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1800 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4184 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC4184

UHF OSCILLATOR AND VHF MIXER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

SUPER MINI MOLD

DESCRIPTION

The 2SC4184 is designed for use as an oscillator or a mixer in a UHF

TV tuners. Super mini mold package makes it suitable for use in small

type equipments especially recommended for Hibrid Integrated Circuits

and other applications.

PACKAGE DIMENSIONS

in millimeters

2.1 ± 0.1

1.25 ± 0.1

FEATURES

•

High Gain Bandwidth Product

Low Collector to Base Time Constant: CC · rb’b = 3.5 ps TYP.

Low Feedback Capacitance : C^re= 1.2 pF MAX.

: fT = 1.8 GHz TYP.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

Marking

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

VCB0

V^CE0

V^EB0

I^C

4.0

˚C

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P^T

T^j

T^stg

160

150

–65 to +150

˚C

PIN CONNECTIONS

1. Emitter

2. Base

3. Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ˚C)

Characteristics

Collector Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

ICB0

MIN.

TYP.

100

MAX.

Unit

Test Conditions

0.1

200

0.5

µA

VCB = 20 V, IE = 0

hFE

VCE = 3 V, IC = 5 mA

Collector Saturation Voltage

Gain Bandwidth Product

Feedback Capacitance

Collector to Base Time Constant

VCE(sat)

GHz

IC = 10 mA, IB = 1 mA

1.2

1.8

0.55

3.5

VCE = 3 V, IC = 5 mA

Cre

1.2

8.0

VCB = 3 V, IE = 0, f = 1 MHz

VCE = 3 V, IE = –5 mA, f = 31.9 MHz

CC ·rb’b

hFE Classifications

Rank

Marking

hFE

T42

T43

T44

T43

40 to 80

60 to 120

100 to 200

Document No. P11189EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. TP-2253)

Date Published February 1996 P

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4184-T1T42	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
2SC4184-T1T43	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
2SC4184-T1T44	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
2SC4184-T2	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
2SC4184-T2T42	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
2SC4184-T2T43	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
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2SC4184-T42	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
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