2SC4182

更新时间： 2024-01-23 06:46:28

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日电电子 - NEC		振荡器晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
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描述
UHF/VHF OSCILLATOR AND VHF MIXER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD

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2SC4182 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.27
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	基于收集器的最大容量：	1.5 pF
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	1100 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

2SC4182 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC4182

UHF/VHF OSCILLATOR AND VHF MIXER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

SUPER MINI MOLD

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

The 2SC4182 is designed for use as an oscillator or a mixer in a VHF

TV tuners. Super mini mold package makes it suitable for use in small

type equipments especially recommended for Hibrid Integrated Circuits

and other applications.

in millimeters

2.1 ± 0.1

1.25 ± 0.1

FEATURES

•

High Gain Bandwidth Product

Low Collector to Base Time Constant: CC · rb’b = 9 ps TYP.

Low Output Capacitance : C^ob= 1.5 pF MAX.

: fT = 1.1 GHz TYP.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

Marking

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

VCB0

V^CE0

V^EB0

I^C

P^T

T^j

4.5

160

˚C

150

PIN CONNECTIONS

1. Emitter

2. Base

T^stg

–65 to +150

3. Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ˚C)

Characteristics

Collector Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

ICB0

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

Test Conditions

0.1

220

0.5

µA

VCB = 20 V, IE = 0

VCE = 3 V, IC = 5 mA

IC = 10 mA, IB = 1 mA

VCE = 3 V, IC = 5 mA

VCB = 3 V, IE = 0

hFE

Collector Saturation Voltage

Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

VCE(sat)

MHz

1 100

1.1

Cob

1.5

Collector to Base Time Constant

CC · rb’b

VCE = 3 V, IE = –5 mA, f = 31.9 MHz

hFE Classifications

Rank

Marking

hFE

T32

T33

T34

T33

60 to 105

85 to 150

120 to 220

Document No. P10407EJ4V0DS00 (4th edition)

(Previous No. TC-1430A)

Date Published February 1996 P

Printed in Japan

1984

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4182-T1	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4182-T1T33	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4182-T1T34	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4182-T2	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
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