2SC4183

更新时间： 2024-02-12 16:28:41

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日电电子 - NEC		晶体射频放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管电视光电二极管
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RF AMPLIFIER FOR UHF TV TUNER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD

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2SC4183 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, SUPERMINI-3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.02 A	基于收集器的最大容量：	1 pF
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	1000 MHz	Base Number Matches：	1

2SC4183 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC4183

RF AMPLIFIER FOR UHF TV TUNER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

SUPER MINI MOLD

DESCRIPTION

The 2SC4183 is specifically designed for UHF RF amplifier applica-

tions. The 2SC4183 features high gain, low noise, and excellent forward

AGC characteristics in tiny plastic super mini mold package makes it

suitable for use in small type equipments such as Hybrid Integrated

Circuit and other applications.

PACKAGE DIMENSIONS

in millimeters

2.1 ± 0.1

1.25 ± 0.1

FEATURES

•

Low NF and high Gpb

NF = 3.0 dB Typ.

G^pb= 10 dB Typ. (f = 900 MHz)

Foward AGC characteristics.

Marking

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

VCB0

V^CE0

V^EB0

I^C

P^T

T^j

3.0

160

˚C

PIN CONNECTIONS

1. Emitter

2. Base

150

T^stg

–65 to +150

3. Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ˚C)

Characteristics

Collector Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

ICB0

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

Test Conditions

0.1

µA

VCB = 10 V, IE = 0

VCE = 5 V, IC = 2 mA

VCB = 5 V, IE = 0

hFE

100

1 000

0.55

3.0

240

Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

Noise Figure

700

MHz

Cob

1.0

4.8

VCE = 5 V, IC = 2 mA, f = 900 MHz

IC = 10 mA, IB = 1 mA

Power Gain

Gpb

Collector Saturation Voltage

VCE(sat)

0.5

hFE Classification

Rank

Marking

hFE

U16

U17

U18

U17

60 to 120

90 to 180

120 to 240

Document No. P11188EJ4V0DS00 (4th edition)

(Previous No. TC-1432A)

Date Published February 1996 P

Printed in Japan

1984

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SC4183-T2	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4183U16	RENESAS	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
2SC4183-U16	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC4183U17	RENESAS	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SUPER MINIMOLD PACKAGE-3
2SC4183-U17	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
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