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2SC4161

更新时间： 2024-01-09 12:52:12

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SAVANTIC		晶体晶体管
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4页	249K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC4161 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.31
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	7 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	30 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2SC4161 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC4161

CHARACTERISTICS

Tj=25ꢀ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

V_CEsat

V_BEsat

I_CBO

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

400

500

TYP.

MAX

UNIT

Collector-emitter breakdown voltage I_C=5mA ; R_BE=∞

Collector-base breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

I_C=1mA ; I_E=0

I_E=1mA ; I_C=0

I_C=4A ;I_B=0.8A

0.8

1.5

I_C=4A ;I_B=0.8A

V_CB=400V; I_E=0

V_EB=5V; I_C=0

µA

I_EBO

h_FE-1

DC current gain

I_C=0.8A ; V_CE=5V

I_C=4A ; V_CE=5V

I_C=10mA ; V_CE=5V

I_E=0; V_CB=10V;f=1MHz

I_C=0.8A ; V_CE=10V

h_FE-2

DC current gain

h_FE-3

DC current gain

C_OB

Output capacitance

f_T

Transition frequency

MHz

Switching times

t_onTurn-on time

t_s

0.5

2.5

0.3

µs

I_C=5A; I_B1=1A

I_B2=-2A

V_CC=200V ,R_L=40Ω

Storage time

Fall time

t_f

ꢀ h_FE-1Classifications

15-30

20-40

30-50

123 4

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